X-ray topography study of epitaxial laterally overgrowth of GaN on sapphire

P.J. McNally, T. Tuomi, R. Rantamäki, K. Jacobs, L. Considine, M. O´Hare, A.N. Danilewsky

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    JulkaisupaikkaHamburg
    Sivut893-894
    TilaJulkaistu - 1999
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

    Julkaisusarja

    NimiHASYLAB-DESY Jahresbericht 1998 Annual Report I
    KustantajaHamburger Synchrotronstrahlungslabor HASYLAND

    Tutkimusalat

    • gallium nitride
    • overgrown
    • synchrotron
    • x-ray topography

    Siteeraa tätä