Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

White beam synchrotron x-ray topography and x-ray diffraction measurements of epitaxial lateral overgrowth of GaN

  • W.M. Chen
  • , P.J. McNally
  • , K. Jacobs
  • , T. Tuomi
  • , A.N. Danilewsky
  • , D. Lowney
  • , J. Kanatharana
  • , L. Knuuttila
  • , J. Riikonen

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivutpp. I3.27.1-I3.27.6
    JulkaisuMaterials Research Society Symposia Proceedings
    Numero693
    TilaJulkaistu - 2002
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Tutkimusalat

    • semiconductors
    • synchrotron x-ray topography

    Siteeraa tätä