Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • Optogan GmbH

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut188-191
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta315
Numero1
TilaJulkaistu - 15 tammikuuta 2011
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • Metalorganic vapor phase Epitaxy, Pendeo Epitaxy, Voids, Gallium nitride, patterning, Nitrides

ID: 965730