Visualisation and finite element modelling of strain fields in silicon due to integrated circuit metallisation

M. "O'Hare", P.J. McNally, D. Lowney, Turkka Tuomi, R. Rantamäki, A.N. Danilewsky

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference article in proceedingsScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Otsikko3rd Int. Conf. on Materials for Microelectronics (MFM2000), Dublin Castle, Ireland, 16-17 October, 2000
    Sivut89-92
    TilaJulkaistu - 2000
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

    Tutkimusalat

    • integrated circuits
    • silicon
    • strain fields
    • synchrotron x-ray topography

    Siteeraa tätä