Vacancy-type defects in GaAsN grown by metal-organic vapor phase epitaxy

J. Toivonen, J. Oila, K. Saarinen, T. Hakkarainen, M. Sopanen, H. Lipsanen

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    TilaJulkaistu - 2002
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

    Julkaisusarja

    Nimi14th International Conference on Idium Phosphide and Related Materials (IPRM 2002), Stockholm, Sweden, May 12-16, 2002

    Tutkimusalat

    • ciluted nitride
    • compound semiconductor
    • metal-organic vapor phase epitaxy

    Siteeraa tätä