Vacancy type defects in Al implanted 4H-SiC studied by positron annihilation spectroscopy

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut664-667
JulkaisuPhysica B
Vuosikerta308-310
TilaJulkaistu - 2001
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • implantation, positron annihilation, vacancies

ID: 3589307