Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Vacancy-type defect distributions of (11)B-, (14)N and (27)Al-implanted 4H-SiC studied by positron annihilation spectroscopy

  • M.S. Janson
  • , J. Slotte
  • , A.Yu Kuznetsov
  • , K. Saarinen
  • , A. Hallén

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut641-644
JulkaisuMaterials Science Forum
Vuosikerta433-436
TilaJulkaistu - 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • Defects, Ion implantation, Positron annihilation spectroscopy

Siteeraa tätä