Vacancy-impurity pairs in relaxed Si_1-xGe_x layers studied by positron annihilation spectroscopy

M. Rummukainen, J. Slotte, K. Saarinen, H.H. Radamson, J. Hållstedt, A.Yu. Kuznetsov

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

14 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta73
TilaJulkaistu - 2006
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • defect
  • positron annihilation
  • semiconductor
  • SiGe

Siteeraa tätä