Vacancy Engineering by He Induced Nanovoids in Crystalline Si

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli015005
Sivut1-4
Sivumäärä4
JulkaisuSemiconductor Science and Technology
Vuosikerta24
Numero1
TilaJulkaistu - 5 joulukuuta 2009
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • boron, He implantation, positron annihilation, silicon, vacancy cluster

ID: 3543451