Vacancy defects in epitaxial thin film CuGaSe2 and CuInSe2

Esa Korhonen, K. Kuitunen, F. Tuomisto, A. Urbaniak, M. Igalson, J. Larsen, L. Gütay, S. Siebentritt

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

25 Sitaatiot (Scopus)
169 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Epitaxial thin film CuGaSe2 and CuInSe2 samples grown on GaAs substrates with varying [Cu]/[Ga,In] ratios were studied using positron annihilation Doppler-broadening spectroscopy and were compared to bulk crystals. We find both Cu monovacancies and Cu-Se divacancies in CuInSe2, whereas, in CuGaSe2, the only observed vacancy defect is the Cu-Se divacancy.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli064102
Sivut1-5
Sivumäärä5
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta86
Numero6
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - elokuuta 2012
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • CGS
  • CIGS
  • CIS
  • positron

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Vacancy defects in epitaxial thin film CuGaSe2 and CuInSe2'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä