Vacancy defects in bulk ammonothermal GaN crystals
Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › › vertaisarvioitu
Tutkijat
Organisaatiot
- Ammono S.A.
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 2620-2623 |
Sivumäärä | 4 |
Julkaisu | Journal of Crystal Growth |
Vuosikerta | 312 |
Numero | 18 |
Tila | Julkaistu - 1 syyskuuta 2010 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Julkaistu artikkeli, soviteltu |
- ammonothermal, GaN, positron, vacancy
Tutkimusalat
ID: 728844