Vacancy defects in bulk ammonothermal GaN crystals

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • Ammono S.A.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2620-2623
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta312
Numero18
TilaJulkaistu - 1 syyskuuta 2010
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • ammonothermal, GaN, positron, vacancy

ID: 728844