Vacancy defect formation in PA-MBE grown C-doped InN

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

Organisaatiot

  • Technische Universität München
  • University of California at Santa Barbara
  • Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut530-532
Sivumäärä3
JulkaisuPHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS
Vuosikerta11
Numero3-4
TilaJulkaistu - huhtikuuta 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • InN, positron, vacancy

ID: 777369