Vacancy defect distribution in heteroepitaxial a-plane GaN grown by hydride vapor phase epitaxy

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • University of Bremen
  • Linköping University

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut251-253
Sivumäärä3
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta300
Numero1
TilaJulkaistu - 1 maaliskuuta 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • GaN, HVPE, non-polar, positron, vacancy

ID: 3546270