Vacancies as compensating centers in bulk GaN: Doping effects

Kimmo Saarinen, Ville Ranki, T. Suski, M. Bockowski, I. Grzegory

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

28 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut281-286
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta246
TilaJulkaistu - 2002
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • positron

Siteeraa tätä