Vacancies and E-centers in silicon as multisymmetry defects

Maria G. Ganchenkova, Laura E. Oikkonen, Vladimir A. Borodin, S. Nicolaysen, Risto M. Nieminen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

14 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut107-111
JulkaisuMaterials Science and Engineering B
Vuosikerta159-160
TilaJulkaistu - 2009
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • silicon, E-center, symmetry, ab initio

Siteeraa tätä