Unveiling the plasma wave in the channel of graphene field-effect transistor

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

  • A. Soltani
  • F. Kuschewski
  • M. Bonmann
  • A. Generalov
  • A. Vorobiev
  • F. Ludwig
  • M. Wiecha
  • D. Cibiraite
  • F. Walla
  • S. C. Kehr
  • L. M. Eng
  • J. Stake
  • H. G. Roskos

Organisaatiot

  • Goethe University Frankfurt
  • Technische Universität Dresden
  • Chalmers University of Technology

Kuvaus

Coupling an electromagnetic wave at GHz to THz frequencies into the channel of a graphene field-effect transistor (GFET) provokes collective charge carrier oscillations of the two-dimensional electron gas (2DEG) known as plasma waves. Here, we report the very first experimental and direct mapping of the electric field distribution in a gated GFET at nanometer length scales using scattering-type scanning near-field microscopy (s-SNOM) at 2 THz. Based on the experimental results we deduce the plasma wave velocity for different gate bias voltages, which is in good agreement with the theoretical prediction.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoIRMMW-THz 2019 - 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
TilaJulkaistu - 1 syyskuuta 2019
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves - Paris, Ranska
Kesto: 1 syyskuuta 20196 syyskuuta 2019
Konferenssinumero: 44

Julkaisusarja

NimiInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
ISSN (painettu)2162-2027
ISSN (elektroninen)2162-2035

Conference

ConferenceInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
LyhennettäIRMMW-THz
MaaRanska
KaupunkiParis
Ajanjakso01/09/201906/09/2019

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 38759063