Unveiling the plasma wave in the channel of graphene field-effect transistor

A. Soltani*, F. Kuschewski, M. Bonmann, A. Generalov, A. Vorobiev, F. Ludwig, M. Wiecha, D. Cibiraite, F. Walla, S. C. Kehr, L. M. Eng, J. Stake, H. G. Roskos

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference article in proceedingsScientificvertaisarvioitu

137 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Coupling an electromagnetic wave at GHz to THz frequencies into the channel of a graphene field-effect transistor (GFET) provokes collective charge carrier oscillations of the two-dimensional electron gas (2DEG) known as plasma waves. Here, we report the very first experimental and direct mapping of the electric field distribution in a gated GFET at nanometer length scales using scattering-type scanning near-field microscopy (s-SNOM) at 2 THz. Based on the experimental results we deduce the plasma wave velocity for different gate bias voltages, which is in good agreement with the theoretical prediction.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoIRMMW-THz 2019 - 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
KustantajaIEEE
ISBN (elektroninen)9781538682852
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 syysk. 2019
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves - Paris, Ranska
Kesto: 1 syysk. 20196 syysk. 2019
Konferenssinumero: 44

Julkaisusarja

NimiInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
ISSN (painettu)2162-2027
ISSN (elektroninen)2162-2035

Conference

ConferenceInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
LyhennettäIRMMW-THz
Maa/AlueRanska
KaupunkiParis
Ajanjakso01/09/201906/09/2019

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Unveiling the plasma wave in the channel of graphene field-effect transistor'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä