Undoped p-type GaN1-xSbx alloys: Effects of annealing

N. Segercrantz, Y. Baumgartner, M. Ting, K. M. Yu, S. S. Mao, W. L. Sarney, S. P. Svensson, W. Walukiewicz

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

3 Sitaatiot (Scopus)
24 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We report p-type behavior for undoped GaN1-xSbx alloys with x ≥ 0.06 grown by molecular beam epitaxy at low temperatures (≤400 °C). Rapid thermal annealing of the GaN1-xSbx films at temperatures >400 °C is shown to generate hole concentrations greater than 1019 cm-3, an order of magnitude higher than typical p-type GaN achieved by Mg doping. The p-type conductivity is attributed to a large upward shift of the valence band edge resulting from the band anticrossing interaction between localized Sb levels and extended states of the host matrix.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli252102
Sivut1-5
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta109
Numero25
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 19 joulukuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Undoped p-type GaN<sub>1-x</sub>Sb<sub>x</sub> alloys: Effects of annealing'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä

    Segercrantz, N., Baumgartner, Y., Ting, M., Yu, K. M., Mao, S. S., Sarney, W. L., ... Walukiewicz, W. (2016). Undoped p-type GaN1-xSbx alloys: Effects of annealing. Applied Physics Letters, 109(25), 1-5. [252102]. https://doi.org/10.1063/1.4972559