Ultrafast Dynamics of Photoinduced Electron–Hole Plasma in Semiconductor Nanowires

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • V. N. Trukhin
  • A. D. Bouravleuv
  • I. A. Mustafin
  • G. E. Cirlin
  • J. P. Kakko
  • Harri Lipsanen

Organisaatiot

  • RAS - Ioffe Physico Technical Institute
  • RAS - St. Petersburg Academic University
  • St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics (ITMO)

Kuvaus

Experimental results obtained in a study of the effect of electron–hole plasma on the generation of terahertz (THz) radiation in semiconductor nanowires grown by metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) are presented. It is shown that the temporal dynamics of photoexcited charge carriers in semiconductor nanowires is determined by the transport of carriers, both electrons and holes, and by the time of capture of electrons and holes at surface levels.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut19-23
Sivumäärä5
JulkaisuSemiconductors
Vuosikerta52
Numero1
TilaJulkaistu - 1 tammikuuta 2018
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 18126891