Tunable Graphene-GaSe Dual Heterojunction Device

Wonjae Kim; Changfeng Li; Ferney A. Chaves; David Jiménez; Raul D. Rodriguez; Jannatul Susoma; Matthias A. Fenner; Harri Lipsanen; Juha Riikonen

doi:10.1002/adma.201504514

Tunable Graphene-GaSe Dual Heterojunction Device

Wonjae Kim, Changfeng Li, Ferney A. Chaves, David Jiménez, Raul D. Rodriguez, Jannatul Susoma, Matthias A. Fenner, Harri Lipsanen, Juha Riikonen^*

^*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Harri Lipsanen Group

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

94 Sitaatiot (Scopus)

Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1845–1852
Sivumäärä	8
Julkaisu	Advanced Materials
Vuosikerta	28
Numero	9
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1002/adma.201504514
Tila	Julkaistu - 2016
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Pääsy asiakirjaan

10.1002/adma.201504514

Muut tiedostot ja linkit

Link to publication in Scopus

OtaNano
Rissanen, A. (Manager)
Aalto-yliopisto
Laitteistot/tilat: Facility
OtaNano Nanofab
Repo, P. (Manager) & Rissanen, A. (Other)
OtaNano
Laitteistot/tilat: Facility

Siteeraa tätä

@article{6ca8f90ab6704c359adec4f207a1ea7f,

title = "Tunable Graphene-GaSe Dual Heterojunction Device",

keywords = "GaSe, Graphene, Heterojunctions, Schottky, Two-dimensional materials",

author = "Wonjae Kim and Changfeng Li and Chaves, {Ferney A.} and David Jim{\'e}nez and Rodriguez, {Raul D.} and Jannatul Susoma and Fenner, {Matthias A.} and Harri Lipsanen and Juha Riikonen",

year = "2016",

doi = "10.1002/adma.201504514",

language = "English",

volume = "28",

pages = "1845–1852 ",

journal = "Advanced Materials",

issn = "0935-9648",

publisher = "Wiley-VCH Verlag",

number = "9",

}

TY - JOUR

T1 - Tunable Graphene-GaSe Dual Heterojunction Device

AU - Kim, Wonjae

AU - Li, Changfeng

AU - Chaves, Ferney A.

AU - Jiménez, David

AU - Rodriguez, Raul D.

AU - Susoma, Jannatul

AU - Fenner, Matthias A.

AU - Lipsanen, Harri

AU - Riikonen, Juha

PY - 2016

Y1 - 2016

KW - GaSe

KW - Graphene

KW - Heterojunctions

KW - Schottky

KW - Two-dimensional materials

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=84953273988&partnerID=8YFLogxK

U2 - 10.1002/adma.201504514

DO - 10.1002/adma.201504514

M3 - Article

SN - 0935-9648

VL - 28

SP - 1845

EP - 1852

JO - Advanced Materials

JF - Advanced Materials

IS - 9

ER -

Tunable Graphene-GaSe Dual Heterojunction Device

Pääsy asiakirjaan

Muut tiedostot ja linkit

Laitteet

OtaNano

OtaNano Nanofab

Siteeraa tätä