Trends in the valence band electronic structures of mixed uranium oxides

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • Kristina O. Kvashnina
  • Piotr M. Kowalski
  • Sergei M. Butorin
  • Gregory Leinders
  • Janne Pakarinen
  • Ph.D. Rene Bes

  • Haijian Li
  • Marc Verwerft

Organisaatiot

  • Forschungszentrum Jülich
  • Uppsala University
  • Belgian Nuclear Research Center
  • Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf
  • European Synchrotron Radiation Facility
  • Jülich Aachen Research Alliance

Kuvaus

The valence band electronic structures of mixed uranium oxides (UO2, U4O9, U3O7, U3O8, and β-UO3) have been studied using the resonant inelastic X-ray scattering (RIXS) technique at the U M5 edge and computational methods. We show here that the RIXS technique and recorded U 5f-O 2p charge transfer excitations can be used to test the validity of theoretical approximations.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut9757-9760
Sivumäärä4
JulkaisuChemical Communications
Vuosikerta54
Numero70
TilaJulkaistu - 1 tammikuuta 2018
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 28319058