Transport measurements in SISNSIS single-electron transistors

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1826-1827
Sivumäärä2
JulkaisuPhysica B
Vuosikerta284-288
NumeroPart 2
TilaJulkaistu - 2000
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • Johnson noise, JQP cycle, proximity effect, single electron transistor

ID: 3545678