Tiled wing induced stress distribution in epitaxiallateral ovegrown GaN

W.M. Chen; P.J. McNally; K. Jacobs; Turkka Tuomi; J. Kanatharana; D. Lowney; L. Knuuttila; J. Riikonen; J. Toivonen

Tiled wing induced stress distribution in epitaxiallateral ovegrown GaN

W.M. Chen, P.J. McNally, K. Jacobs, Turkka Tuomi, J. Kanatharana, D. Lowney, L. Knuuttila, J. Riikonen, J. Toivonen

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

3 Sitaatiot (Scopus)

Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	283-286
Julkaisu	Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Numero	14
Tila	Julkaistu - 2003
OKM-julkaisutyyppi	A1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

GaN
strain
synchrotron x-ray topography

SFX-saatavuus

Koko teksti

Siteeraa tätä

@article{3259953d521a4e73af393783b1a2baa7,

title = "Tiled wing induced stress distribution in epitaxiallateral ovegrown GaN",

keywords = "GaN, strain, synchrotron x-ray topography, GaN, strain, synchrotron x-ray topography, GaN, strain, synchrotron x-ray topography",

author = "W.M. Chen and P.J. McNally and K. Jacobs and Turkka Tuomi and J. Kanatharana and D. Lowney and L. Knuuttila and J. Riikonen and J. Toivonen",

year = "2003",

language = "English",

pages = "283--286",

journal = "Journal of Materials Science: Materials in Electronics",

issn = "0957-4522",

publisher = "Springer New York",

number = "14",

}

Tiled wing induced stress distribution in epitaxiallateral ovegrown GaN. / Chen, W.M.; McNally, P.J.; Jacobs, K.; Tuomi, Turkka; Kanatharana, J.; Lowney, D.; Knuuttila, L.; Riikonen, J.; Toivonen, J.

julkaisussa: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Nro 14, 2003, s. 283-286.

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

TY - JOUR

T1 - Tiled wing induced stress distribution in epitaxiallateral ovegrown GaN

AU - Chen, W.M.

AU - McNally, P.J.

AU - Jacobs, K.

AU - Tuomi, Turkka

AU - Kanatharana, J.

AU - Lowney, D.

AU - Knuuttila, L.

AU - Riikonen, J.

AU - Toivonen, J.

PY - 2003

Y1 - 2003

KW - GaN

KW - strain

KW - synchrotron x-ray topography

KW - GaN

KW - strain

KW - synchrotron x-ray topography

KW - GaN

KW - strain

KW - synchrotron x-ray topography

M3 - Article

SP - 283

EP - 286

JO - Journal of Materials Science: Materials in Electronics

JF - Journal of Materials Science: Materials in Electronics

SN - 0957-4522

IS - 14

ER -