Thermal shot noise in top-gated single carbon nanotube field effect transistors

J. Chaste, E. Pallecchi, P. Morfin, G. Fève, T. Kontos, J.-M. Berroir, P. Hakonen, B. Placais

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

9 Sitaatiot (Scopus)
83 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The high-frequency transconductance and current noise of top-gated single carbon nanotube transistors have been measured and used to investigate hot electron effects in one-dimensional transistors. Results are in good agreement with a theory of one-dimensional nanotransistor. In particular the prediction of a large transconductance correction to the Johnson–Nyquist thermal noise formula is confirmed experimentally. Experiment shows that nanotube transistors can be used as fast charge detectors for quantum coherent electronics with a resolution of 13 μe/Hz⎯⎯⎯⎯⎯√ in the 0.2–0.8 GHz band.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli192103
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta96
Numero19
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2010
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • carbon nanotube
  • shot noise

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Thermal shot noise in top-gated single carbon nanotube field effect transistors'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä