Theoretical studies of interstitial boron defects in silicon

M. Hakala, M.J. Puska, R.M. Nieminen

Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional

Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	268-270
Tila	Julkaistu - 1999
OKM-julkaisutyyppi	D4 Julkaistu kehittämis- tai tutkimusraportti taikka -selvitys

Nimi	The 20th International Conference on Defects in Semiconductors, Berkeley, USA, 26.-30.7.1999

Siteeraa tätä

@techreport{430207d41046479eb1e8ccd9ecf68695,

title = "Theoretical studies of interstitial boron defects in silicon",

author = "M. Hakala and M.J. Puska and R.M. Nieminen",

year = "1999",

language = "English",

series = "The 20th International Conference on Defects in Semiconductors, Berkeley, USA, 26.-30.7.1999",

pages = "268--270",

type = "WorkingPaper",

}