Theoretical studies of interstitial boron defects in silicon

M. Hakala, M.J. Puska, R.M. Nieminen

Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut268-270
TilaJulkaistu - 1999
OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

Julkaisusarja

NimiThe 20th International Conference on Defects in Semiconductors, Berkeley, USA, 26.-30.7.1999

Siteeraa tätä