Theoretical studies of interstitial boron defects in silicon

Mikko Hakala*, M. J. Puska, R. M. Nieminen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

We employ pseudopotential plane-wave calculations to study the interstitial B in Si in different ionic configurations and charge states. For all charge states the ground state is a B-Si pair in which the B atom is close to a substitutional site and the Si atom in a nearby tetrahedral position. The defect has negative-U property and exhibits a symmetry-lowering distortion. We also report several metastable configurations which are close in formation energy. The relation of the defects to B diffusion is discussed.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut268-270
Sivumäärä3
JulkaisuPhysica B: Condensed Matter
Vuosikerta273-274
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 15 jouluk. 1999
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Theoretical studies of interstitial boron defects in silicon'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä