The future of high-K on pure germanium and its importance for Ge CMOS

M. Meuris*, A. Delabie, S. Van Elshocht, S. Kubicek, P. Verheyen, B. De Jaeger, J. Van Steenbergen, G. Winderickx, E. Van Moorhem, R. L. Puurunen, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, S. De Gendt, T. Schram, T. Chiarella, B. OnsiaI. Teerlinck, M. Houssa, P. W. Mertens, G. Raskin, P. Mijlemans, S. Biesemans, M. M. Heyns

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

17 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

A comparison between atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD) and metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) HfO2 layers on Ge indicate that ALCVD layers have some improved capacitor characteristics. An NH3 pre-treatment was essential to obtain MOS C-V characteristics for the deposited HfO2 layer. We also report for the first time, deep sub-micron Ge pFETs made in a silicon-like process flow with a directly etched metal gate stack on a HfO2 dielectric. The results indicate that for improving Ge devices, more understanding on the dopant diffusion control and the reduction of interface state density will be necessary.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut203-207
Sivumäärä5
JulkaisuMATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
Vuosikerta8
Numero1-3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - helmikuuta 2005
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'The future of high-K on pure germanium and its importance for Ge CMOS'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä