The Effect of Oxygenation on the Radiation Hardness of Silicon Studied by Surface Photovoltage Method

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • Marko Yli-Koski

  • Jaakko Härkönen
  • Eija Tuominen
  • L. Lassila-Perini
  • P. Mehtälä
  • S. Nummela
  • J. Nysten
  • Paula Heikkilä
  • Victor Ovchinnikov

  • Martti Palokangas
  • L. Palmu
  • S. Kallijärvi
  • T. Alanko
  • P Laitinen
  • A Pirojenko
  • I. Riihimäki
  • G. Tiourine
  • A. Virtanen

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2910-2913
JulkaisuIEEE Transactions on Nuclear Science
Vuosikerta49
Numero6
TilaJulkaistu - 2002
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • radiation hardness, silicon detectors, SPV, surface photovoltage

ID: 4148026