The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimization of GaN LED efficiency

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut740-743
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta298
TilaJulkaistu - 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • InGaN, light emitting diodes, MOCVK, quantum wells

ID: 3619159