The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimization of GaN LED efficiency

Sami Suihkonen, Olli Svensk, Teemu Lang, Harri Lipsanen, Maxim Odnoblyudov, Vladislav Bougrov

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    19 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut740-743
    JulkaisuJournal of Crystal Growth
    Vuosikerta298
    TilaJulkaistu - 2007
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • InGaN
    • light emitting diodes
    • MOCVK
    • quantum wells

    Siteeraa tätä