The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimisation on GaN LED performance

Sami Suihkonen, Olli Svensk, Teemu Lang, Harri Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    TilaJulkaistu - 2006
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

    Julkaisusarja

    NimiIC MOVPE XIII, Miyazaki, Japani, 2006

    Siteeraa tätä

    Suihkonen, S., Svensk, O., Lang, T., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. A., & Bougrov, V. E. (2006). The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimisation on GaN LED performance. (IC MOVPE XIII, Miyazaki, Japani, 2006).