The effect of gaseous SiCl4 on ALE growth of CaS, SrS and SrS:Ce

P. Soininen, L. Niinistö, E. Nykänen, M. Leskelä

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    23 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut99-105
    JulkaisuApplied Surface Science
    Vuosikerta75
    TilaJulkaistu - 1994
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • atomic layer epitaxy (ALE)
    • calcium sulfide
    • strontium sulfide
    • thin films

    Siteeraa tätä