The effect of a material growth technique on ion implanted Mn diffusion in GaAs

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

Organisaatiot

  • University of Helsinki
  • Lund University
  • Polish Academy of Sciences

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli045011
Sivut1-5
Sivumäärä5
JulkaisuSemiconductor Science and Technology
Vuosikerta24
Numero4
TilaJulkaistu - 6 maaliskuuta 2009
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • diffusion, GaAs, manganese, vacancy

ID: 3530359