Terahertz absorption in GaN epitaxial layers under lateral electric field

R. M. Balagula, M. Ya Vinnichenko, G. A. Melentev, M. D. Moldavskaya, V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, S. N. Danilov, S. Suihkonen

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    291 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    Variation of absorption of terahertz radiation in lateral electric field was investigated in GaN epitaxial layers. Different behaviour of the absorption modulation in electric field was observed for radiation polarized along electric field and perpendicular to it. Joint analysis of optical and transport measurements let us obtain field dependencies of mobility, electron concentration and absorption cross-section. For terahertz radiation polarized perpendicular to the electric field, results are in accordance with Drude model of free electron absorption. Another polarization demonstrates significant deviation that is yet to be studied more thoroughly.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli012147
    Sivumäärä6
    JulkaisuJournal of Physics: Conference Series
    Vuosikerta741
    Numero1
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 15 syyskuuta 2016
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu
    TapahtumaInternational School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures - St. Petersburg, Venäjä
    Kesto: 28 maaliskuuta 201630 maaliskuuta 2016
    Konferenssinumero: 3

    Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Terahertz absorption in GaN epitaxial layers under lateral electric field'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä