Tensile-strained GaAsN quantum dots on InP

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

Organisaatiot

Kuvaus

Self-assembled quantum dots are typically fabricated from compressive-strained material systems, e.g., InAs on GaAs. In this letter, self-assembled quantum dots from tensile-strained GaAsN on InP are demonstrated. GaAsN on InP has type-I band alignment. Stranski-Krastanov growth mode is not observed, but in situ annealing of the uncapped samples results in the formation of islands. Photoluminescence spectra from the buried GaAsN show separate peaks due to a wetting layer and islands around the energies of 1.3 and 1.1eV, respectively.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli172110
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta90
Numero17
TilaJulkaistu - 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • growth, InAs, InxGa1-xAs, islands, vapor phase epitaxy

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 3357284