Tensile-strained GaAsN quantum dots on InP

P. Pohjola, T. Hakkarainen, Hannu Koskenvaara, M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Sainio

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticle

7 Sitaatiot (Scopus)
90 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Self-assembled quantum dots are typically fabricated from compressive-strained material systems, e.g., InAs on GaAs. In this letter, self-assembled quantum dots from tensile-strained GaAsN on InP are demonstrated. GaAsN on InP has type-I band alignment. Stranski-Krastanov growth mode is not observed, but in situ annealing of the uncapped samples results in the formation of islands. Photoluminescence spectra from the buried GaAsN show separate peaks due to a wetting layer and islands around the energies of 1.3 and 1.1eV, respectively.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli172110
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta90
Numero17
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • growth
  • InAs
  • InxGa1-xAs
  • islands
  • vapor phase epitaxy

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Tensile-strained GaAsN quantum dots on InP'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä