Temperature dependency of responsivity and dark current of nearly ideal black silicon photodiodes

Juha Heinonen, Antti Haarahiltunen, Michael Serue, Daria Kriukova, Ville Vähänissi, Toni P. Pasanen, Hele Savin, Mikko A. Juntunen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliConference articleScientificvertaisarvioitu

41 Lataukset (Pure)

Abstrakti

A high-quality photodiode has high signal-to-noise ratio (SNR), which is ultimately defined by the responsivity and dark current of the photodiode. Black silicon induced junction photodiodes have been shown to have nearly ideal responsivity across a wide range of wavelengths between 175-1100 nm at room temperature (RT). Here we present their spectral responsivity stability and dark current at different temperatures. Both quantities show temperature dependencies similar to conventional pn-junction photodiodes, proving that black silicon photodiodes maintain their improved SNR also at temperatures other than RT.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli1168207
Sivumäärä6
JulkaisuSPIE CONFERENCE PROCEEDINGS
Vuosikerta11682
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 5 maaliskuuta 2021
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaOptical Components and Materials - Virtual, Online
Kesto: 6 maaliskuuta 202112 maaliskuuta 2021
Konferenssinumero: 18

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Temperature dependency of responsivity and dark current of nearly ideal black silicon photodiodes'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä