Temperature dependence of the electron mobility in photorefractive Bi12SiO20

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • University of Southern California

Kuvaus

We have measured the temperature dependence of the electron mobility in a single crystal of photorefractiven-type cubic Bil2SiO20 by using a holographic time-of-flight technique. Our results show that the mobility, with a value μ = 0.24 ± 0.07 cm2/(V s) at room temperature, has a temperature dependence of the Arrheniusform, with an activation energy of 320 ± 40 meV in the experimental range 270-310 K.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1428-1431
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of the Optical Society of America B: Optical Physics
Vuosikerta9
Numero8
TilaJulkaistu - 1992
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 5581591