Temperature- and illumination-induced charge-state change in divacancies of GaTe

A. Zubiaga, F. Plazaola, J.A. Garcia, C. Martinez-Tomas, V. Muñoz-Sanjose

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta81
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2010
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • GaTe, vacancy type defects, positron annihilation spectroscopy

Siteeraa tätä