Synthesis of Extended Atomically Perfect Zigzag Graphene - Boron Nitride Interfaces

R. Drost, Kezilebieke Shawulienu, Mikko Ervasti, Sampsa Hämäläinen, F. Schulz, A. Harju, P. Liljeroth

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

29 Sitaatiot (Scopus)
202 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The combination of several materials into heterostructures is a powerful method for controlling material properties. The integration of graphene (G) with hexagonal boron nitride (BN) in particular has been heralded as a way to engineer the graphene band structure and implement spin- and valleytronics in 2D materials. Despite recent efforts, fabrication methods for well-defined G-BN structures on a large scale are still lacking. We report on a new method for producing atomically well-defined G-BN structures on an unprecedented length scale by exploiting the interaction of G and BN edges with a Ni(111) surface as well as each other.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli16741
Sivut1-8
JulkaisuScientific Reports
Vuosikerta5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • graphene
  • hexagonal boron nitride
  • scanning tunneling microscopy
  • Two-dimensional materials

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Synthesis of Extended Atomically Perfect Zigzag Graphene - Boron Nitride Interfaces'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.
  • ERC Liljeroth (ERC)

    Liljeroth, P. (Vastuullinen tutkija), Shawulienu, K. (Projektin jäsen), Banerjee, K. (Projektin jäsen), Drost, R. (Projektin jäsen) & Schulz, F. (Projektin jäsen)

    01/11/201131/01/2017

    Projekti: EU: ERC grants

Siteeraa tätä