Synchrotron X-ray topographic analysis of the impact of processing steps on the fabrication of AlGaAs/InGaAs p-HEMTs

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • P. McNally
  • T. Tuomi
  • P. Herbert
  • A. Baric
  • P. Äyräs
  • M. Karilahti
  • Harri Lipsanen

  • M. Tromby

Organisaatiot

  • Dublin City University
  • Alcatel-Telettra Research Center

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1085-1091
Sivumäärä7
JulkaisuIEEE Transactions on Electron Devices
Vuosikerta43
Numero7
TilaJulkaistu - heinäkuuta 1996
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • optoelectronics, semiconductors

ID: 4878044