Synchrotron x-ray topography study of defects in indium antimonide p-i-n structures grown by metal organic vapour phase epitaxy

Juha Riikonen, Turkka Tuomi, Aapo Lankinen, Jaakko Sormunen, Antti Säynätjoki, Lauri Knuuttila, Harri Lipsanen, P.J. McNally, A. Danilewsky, H. Sipilä, S. Vaijärvi, D. Lumb, A. Owens

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    13 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut449-453
    Sivumäärä5
    JulkaisuJournal of Materials Science: Materials in Electronics
    Vuosikerta16
    Numero7
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - heinäkuuta 2005
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • crystal defects
    • epitaxy
    • semiconductor compounds
    • x-ray topography

    Siteeraa tätä