Synchrotron X-ray topographic study of Si wafers and device structures for advanced 0.25 u m and 0.35 u m CMOS technology

P. McNally, A. Reader, T. Tuomi, P. Herbert

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Otsikko3rd European Symposium on X-ray topography and high resolution diffraction (X-TOP'96), Palermo, Italy, 22-24 April 1996
    JulkaisupaikkaPalermo, Italy
    Sivut19
    TilaJulkaistu - 1996
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

    Tutkimusalat

    • optoelectronics
    • semiconductors

    Siteeraa tätä