Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • A. Lankinen
  • L. Knuuttila
  • P. Kostamo
  • T.O. Tuomi
  • Harri Lipsanen

  • P.J. McNally
  • L. "O'Reilly"

Organisaatiot

  • Optogan Oy
  • Dublin City University

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut4619-4627
Sivumäärä9
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta311
Numero22
TilaJulkaistu - 1 marraskuuta 2009
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • indium gallium phosphide, synchrotron x-ray topography, x-ray diffraction

ID: 3500851