Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge

A. Lankinen, L. Knuuttila, P. Kostamo, T.O. Tuomi, H. Lipsanen, P.J. McNally, L. "O'Reilly"

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    12 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut4619-4627
    Sivumäärä9
    JulkaisuJournal of Crystal Growth
    Vuosikerta311
    Numero22
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 1 marraskuuta 2009
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • indium gallium phosphide
    • synchrotron x-ray topography
    • x-ray diffraction

    Siteeraa tätä