Suspended single-electron transistor as a detector of its nanomechanical motion

Yuri Pashkin*, Tiefu Li, Jukka Pekola, Oleg Astafiev, Dmitry Knyazev, Felix Hoehne, Hyunsik Im, Yasunobu Nakamura, Jaw Shen Tsai

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

We have fabricated an Al based single-electron transistor transistor (SET) whose island is suspended above the substrate. The structure can be considered as a two-in-one device containing a doubly clamped beam and a transducer that converts mechanical vibrations into variations in the SET current. In addition to the regular side gate, a bottom gate with a large capacitance, is placed beneath the SET island for increasing the SET coupling to the mechanical motion. The observed response is reproduced in our simulations, which are based on the orthodox model that considers the fundamental flexural mode of the resonating SET island.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoICONN 2010 - Proceedings of the 2010 International Conference on Nanoscience and Nanotechnology
Sivut340-342
Sivumäärä3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 joulukuuta 2010
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Nanoscience and Nanotechnology - Sydney, Austraalia
Kesto: 22 helmikuuta 201026 helmikuuta 2010
Konferenssinumero: 3

Conference

ConferenceInternational Conference on Nanoscience and Nanotechnology
LyhennettäICONN
Maa/AlueAustraalia
KaupunkiSydney
Ajanjakso22/02/201026/02/2010

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Suspended single-electron transistor as a detector of its nanomechanical motion'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä