Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN

I. V. Shtrom*, A. D. Bouravleuv, Yu B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

It is shown that the atomic layer deposition of thin AlN layers can be used to passivate the surface states of GaAs nanowires synthesized by molecular-beam epitaxy. Studies of the optical properties of samples by low-temperature photoluminescence measurements shows that the photoluminescence-signal intensity can be increased by a factor of up to five by passivating the nanowires with a 25--thick AlN layer.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1619-1621
Sivumäärä3
JulkaisuSemiconductors
Vuosikerta50
Numero12
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - joulukuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä