Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN

I. V. Shtrom*, A. D. Bouravleuv, Yu B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

It is shown that the atomic layer deposition of thin AlN layers can be used to passivate the surface states of GaAs nanowires synthesized by molecular-beam epitaxy. Studies of the optical properties of samples by low-temperature photoluminescence measurements shows that the photoluminescence-signal intensity can be increased by a factor of up to five by passivating the nanowires with a 25--thick AlN layer.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1619-1621
Sivumäärä3
JulkaisuSemiconductors
Vuosikerta50
Numero12
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - joulukuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Laitteet

OtaNano

Anna Rissanen (Manager)

Aalto-yliopisto

Laitteistot/tilat: Facility

  • Siteeraa tätä

    Shtrom, I. V., Bouravleuv, A. D., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Reznik, R. R., ... Lipsanen, H. (2016). Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN. Semiconductors, 50(12), 1619-1621. https://doi.org/10.1134/S1063782616120186