Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process

Riikka L. Puurunen*

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliReview ArticleScientificvertaisarvioitu

2049 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

A study of the application of atomic layer deposition (ALD) technique in relation to surface chemistry of trimethylaluminum/water process, is presented. The study also provides an insight to the of surface chemistry of atomic layer deposition (ALD) technique. The study also discusses the mechanism of two-reactant ALD process and includes descriptions about the physicochemical requirements of self-terminating reactions, reaction kinetics, typical chemisorption reactions, and effect of temperature on number of cycles on growth per cycles (GPC). The issues hampering a physicochemical process are also discussed. The results of the study were compared to the growth experiments on flat substrates and reaction chemistry of high-surface-area materials.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli121301
Sivut1-52
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta97
Numero12
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2005
OKM-julkaisutyyppiA2 Arvio tiedejulkaisuussa (artikkeli)

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä