Substitutionality of nitrogen atoms and formation of nitrogen complexes and point defects in GaPN alloys

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • Lawrence Berkeley National Laboratory

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli075106
Sivut1-6
Sivumäärä6
JulkaisuJournal of Physics D: Applied Physics
Vuosikerta47
Numero7
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • defect, diluted nitride, recombination

ID: 897424