Strain-compensated GaPN/GaP heterostructure on (0?0?1) silicon substrates for intermediate band solar cells

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli165103
Sivut1-6
Sivumäärä6
JulkaisuJournal of Physics D: Applied Physics
Vuosikerta46
Numero16
TilaJulkaistu - 2013
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 960682